измерение параметров радиоэлементов

- межбазовый ток и напряжение на эмиттере однопереходных транзисторов.

- ток через тиристор в открытом и закрытом состоянии, ток через управляющий переход и напряжение на нем, открывающее тиристор Pпри напряжении на аноде 4,5В;

- ток стока, начальный ток стока, напряжение «затвор-исток» и напряжение отсечки полевых транзисторов;

- обратныйP и прямой токи коллектора и ток базы биполярных транзисторов;

- вольт-амперные характеристики диодов, в том числе фото-, свето-, туннельных- и обращенных диодов ( в интервале напряжений 0 4,5 В и токовP 1мкА 0,5 А );

Для изготовления аппаратуры высокого качеств, измерительных и высокоточных схем, часто требуется подобрать радиоэлементы с одинаковыми или возможно более близкими параметрами. Ниже приведены простые схемы измерения основных параметров часто используемыхP элементов радиосхем, с помощью которых можно измерить:

Измерение основных параметров радиоэлементов и проверка их работоспособности

Измерение основных параметров радиоэлементов и проверка их работоспособности